本發(fā)明公開一種壓接型IGBT器件的短路失效測(cè)試方法及裝置,其中方法包括:獲取待測(cè)壓接型IGBT器件在短路失效狀態(tài)下的第一電壓和第一電流,第一電壓為待測(cè)壓接型IGBT器件的集電極與發(fā)射極之間的電壓,第一電流為待測(cè)壓接型IGBT器件的集電極電流;根據(jù)第一電壓和第一電流,計(jì)算待測(cè)壓接型IGBT器件在短路失效狀態(tài)下的失效電阻;在待測(cè)IGBT器件發(fā)生短路失效后的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)獲取失效電阻的變化率;根據(jù)失效電阻的變化率確定待測(cè)壓接型IGBT器件的短路失效特性。本發(fā)明通過短路失效測(cè)試可以確定出待測(cè)壓接型IGBT器件的失效電阻的電阻變化率,進(jìn)而可以評(píng)估待測(cè)壓接型IGBT器件的短路失效特性,可實(shí)現(xiàn)待測(cè)壓接型IGBT器件投入到電力系統(tǒng)中進(jìn)行可靠運(yùn)行,并可以增強(qiáng)其使用壽命。
聲明:
“壓接型IGBT器件的短路失效測(cè)試方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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