本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件失效時(shí)刻預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。本公開實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件失效時(shí)刻預(yù)測(cè)方法，包括：獲取所述半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)的第一階段測(cè)試數(shù)據(jù)，其中，所述測(cè)試數(shù)據(jù)為時(shí)間序列數(shù)據(jù)；基于所述第一階段測(cè)試數(shù)據(jù)和預(yù)先構(gòu)建的差分整合移動(dòng)平均自回歸ARIMA模型得到所述半導(dǎo)體器件的第二階段預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)；基于所述半導(dǎo)體器件的第二階段預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)確定所述半導(dǎo)體器件的失效時(shí)刻。本公開實(shí)施例的技術(shù)方案解決了現(xiàn)有的HCI測(cè)試耗時(shí)過(guò)長(zhǎng)，無(wú)法滿足工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)品數(shù)量大、工期緊的需求的技術(shù)問(wèn)題，大幅縮短了半導(dǎo)體器件失效時(shí)刻的獲取時(shí)長(zhǎng)，降低了測(cè)試成本，提高了測(cè)試效率。