本發(fā)明是以半導(dǎo)體器件電遷移失效物理模型為基礎(chǔ),建立了一種基于仿真技術(shù)的半導(dǎo)體器件電遷移失效測試方法。在進(jìn)行測試時首先需要收集半導(dǎo)體器件的相關(guān)信息;其次通過EDA軟件SABER平臺建立每個晶體管EDA模型及器件晶體管級EDA系統(tǒng)模型,并仿真得到半導(dǎo)體器件每個管腳的電壓仿真值;然后基于器件版圖等信息通過有限元仿真軟件Abaqus建立有限元模型,并將管腳的電壓仿真值注入到模型中進(jìn)行仿真,得到金屬互聯(lián)線上的電流密度值;最后將收集得到的器件相關(guān)信息及仿真得到的電流密度值帶入到電遷移BLACK模型中計算器件內(nèi)部的金屬互連線潛在故障點的失效時間,將其中最短的失效時間視為該器件的失效壽命。
聲明:
“基于仿真技術(shù)的半導(dǎo)體器件電遷移失效測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)