本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件高阻失效的測(cè)試方法,包括:提供測(cè)試樣品及其設(shè)計(jì)版圖,將所述測(cè)試樣品中可能存在高阻的路徑設(shè)置為待測(cè)路徑;根據(jù)所述設(shè)計(jì)版圖找到所述待測(cè)路徑的兩個(gè)端點(diǎn),并將所述待測(cè)路徑接入一測(cè)試電路;以及,對(duì)所述待測(cè)路徑進(jìn)行電性測(cè)試,根據(jù)所述電性測(cè)試的測(cè)試結(jié)果判斷所述待測(cè)路徑是否存在高阻。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)體器件的待測(cè)路徑并對(duì)其進(jìn)行電性測(cè)試,從而準(zhǔn)確判斷所述待測(cè)路徑是否存在高阻失效,提高了測(cè)試效率。
聲明:
“半導(dǎo)體器件高阻失效的測(cè)試方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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