本發(fā)明公開了一種用于
多晶硅層的失效點(diǎn)定位的方法,包括:提供樣品;將所述樣品進(jìn)行去層處理至多晶硅層上的層間介質(zhì)層;對(duì)所述樣品的表面進(jìn)行清潔處理;利用電勢(shì)對(duì)比定位法對(duì)所述樣品進(jìn)行多晶硅層的失效點(diǎn)定位。本發(fā)明由于保留了一定厚度的多晶硅層上的層間介質(zhì)層,所以避免了對(duì)多晶硅層的損傷;由于采用了超聲波震蕩方法在離子水中對(duì)樣品表面進(jìn)行清潔,所以避免了清潔過程中對(duì)樣品表面的損傷;由于采用了較大的一次電子束的加速電壓進(jìn)行電勢(shì)對(duì)比觀測(cè),所以能夠快速的定位多晶硅層的失效點(diǎn)。本發(fā)明的方法適用于大尺寸多晶硅陣列的失效點(diǎn)定位,可快速地在掃描結(jié)果中準(zhǔn)確地找到失效點(diǎn)的位置,節(jié)省了
芯片失效分析的時(shí)間,提高了分析效率。
聲明:
“用于多晶硅層的失效點(diǎn)定位的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)