本發(fā)明涉及一種靜電放電失效驗(yàn)證方法,包括步驟:對(duì)待驗(yàn)證
芯片進(jìn)行失效分析,記錄待驗(yàn)證芯片的損傷信息;獲取與待驗(yàn)證芯片同批次的良品芯片的損傷信息,良品芯片的損傷信息根據(jù)良品芯片通過(guò)靜電放電模擬損傷測(cè)試分析得到;將良品芯片的損傷信息與待驗(yàn)證芯片的損傷信息進(jìn)進(jìn)行對(duì)比分析,判斷待驗(yàn)證芯片是否發(fā)生靜電放電失效;當(dāng)良品芯片的損傷信息與待驗(yàn)證芯片的損傷信息一致時(shí),則待驗(yàn)證芯片發(fā)生靜電放電失效。上述靜電放電失效驗(yàn)證方法,在進(jìn)行靜電放電失效分析之前,對(duì)疑似靜電放電失效的芯片進(jìn)行靜電放電失效驗(yàn)證,避免直接采用靜電放電失效分析得到不準(zhǔn)確的結(jié)果,提高了靜電放電失效分析的可靠性。
聲明:
“靜電放電失效驗(yàn)證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)