本發(fā)明提供一種對(duì)Flash器件失效定位的方法,提供多個(gè)存儲(chǔ)單元;對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元分別在同一狀態(tài)下進(jìn)行電流量測(cè),得到所有存儲(chǔ)單元的電流值;按多個(gè)存儲(chǔ)單元所在的位置與各存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的電流值繪制為電流隨存儲(chǔ)單元位置分布的趨勢(shì)圖;根據(jù)趨勢(shì)圖找出失效的存儲(chǔ)單元。本發(fā)明的方法根據(jù)bit cell電流分布趨勢(shì)來對(duì)Flash進(jìn)行失效定位,制成圖表,找到趨勢(shì)上電流表現(xiàn)最差的bit,有利于對(duì)后續(xù)的失效分析預(yù)測(cè)做出判斷。
聲明:
“對(duì)Flash器件失效定位的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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