本發(fā)明公開了一種三維存儲(chǔ)器失效樣品制備方法，屬于集成電路的失效分析領(lǐng)域，一種三維存儲(chǔ)器失效樣品制備方法，包括以下步驟：步驟一、將芯片表面金屬層去除；步驟二、將去除金屬層的芯片置于機(jī)械研磨設(shè)備的樣品臺(tái)上；步驟三、調(diào)整樣品臺(tái)位置，使芯片目標(biāo)分析區(qū)位于微拋光磨頭的正下方；步驟四、調(diào)整微拋光磨頭的位置，使其接觸芯片表面，微拋光磨頭與芯片表面接觸角為45度；步驟五、設(shè)定微拋光磨頭移動(dòng)距離，然后開啟微拋光磨頭旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明，通過結(jié)合高精度機(jī)械研磨和聚焦離子束，實(shí)現(xiàn)弧形側(cè)壁結(jié)構(gòu)，在垂直視角下即可對(duì)三維堆疊層數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確計(jì)數(shù)，比較垂直側(cè)壁結(jié)構(gòu)，能夠更快速及準(zhǔn)確的找到失效位置，提高分析效率和準(zhǔn)確度。