本申請涉及IGBT模塊疲勞分析處理方法,包括步驟:建立IGBT模塊的有限元模型;電?熱?結(jié)構(gòu)耦合計算;繪制應(yīng)變疲勞曲線;計算IGBT模塊的各單元的疲勞損傷值;確定下一次功率循環(huán)的有限元模型;建立IGBT模塊的狀態(tài)評估模型。這樣,巧妙地設(shè)計了IGBT模塊的有限元模型并據(jù)此進行累積損傷值的計算及分析,從而能夠準確地得出IGBT模塊疲勞失效機理,解決了傳統(tǒng)數(shù)值分析方法無法模擬疲勞裂紋擴展期間物理特性的弊端,以及克服試驗法花費大、難以深入研究模塊全壽命疲勞特性的問題,并且全面考慮IGBT模塊疲勞失效的裂紋萌生期和裂紋擴展期,實現(xiàn)了對IGBT模塊全壽命疲勞的準確模擬分析。
聲明:
“IGBT模塊疲勞分析處理方法及半導(dǎo)體器件處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)