本發(fā)明公開了一種溝槽MOS器件中位錯型漏電分析方法,包括步驟:采用EMMI分析方法獲取缺陷位置,缺陷位置對應(yīng)于發(fā)光點,控制EMMI分析條件使發(fā)光點的直徑小于等于1.5微米;采用FIB方法在缺陷位置處制備TEM樣品,TEM樣品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM樣品的厚度大于等于缺陷位置處的發(fā)光點的直徑;對TEM樣品進行TEM分析。本發(fā)明能針對位錯引起的漏電失效,實現(xiàn)更快速準確的定位與分析確認。
聲明:
“溝槽MOS器件中位錯型漏電分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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