本申請(qǐng)涉及空間電推進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種離子推力器屏柵極濺射刻蝕仿真分析方法,通過(guò)構(gòu)建仿真計(jì)算模型,建立高能離子與屏柵極表面濺射腐蝕速率之間的關(guān)系,實(shí)現(xiàn)對(duì)屏柵極失效發(fā)生的概率進(jìn)行評(píng)估。一方面是基于離子推力器放電室的基礎(chǔ)理論知識(shí),進(jìn)一步明確放電室氣體放電過(guò)程和高能離子產(chǎn)生過(guò)程,另一方面是明晰高能離子對(duì)固體表面的轟擊濺射刻蝕過(guò)程和工作機(jī)制,仿真計(jì)算結(jié)果可為設(shè)計(jì)人員在離子電推進(jìn)產(chǎn)品研制及優(yōu)化設(shè)計(jì)提供手段支持和數(shù)據(jù)參考,以達(dá)到大幅縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研制成本的目的。
聲明:
“離子推力器屏柵極濺射刻蝕仿真分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)