本發(fā)明公開了一種檢測晶格位錯(cuò)的方法,包含如下步驟:選取失效器件進(jìn)行電學(xué)測試,多次掃描測量其電壓-電流曲線,觀察多次掃描得到的電壓-電流曲線有無逐漸變大或變小的情況;對失效器件進(jìn)行烘烤,重新多次測量其電壓-電流曲線,觀察有無逐漸變大或變小的情況;對于確定電壓-電流曲線發(fā)生變化的器件,進(jìn)行微光顯微鏡定位,進(jìn)一步縮小位錯(cuò)的范圍;將器件進(jìn)行研磨,用聚焦離子束進(jìn)行切割,物理解析制樣形成透射電子顯微鏡樣品;采用常規(guī)透射電子顯微鏡觀察方式進(jìn)行位錯(cuò)觀察,獲得位錯(cuò)像。上述方法通過電學(xué)分析到物理分析的流程,分析位錯(cuò)并找出位錯(cuò)的位置,提高集成電路器件失效分析的效率,降低成本。
聲明:
“檢測晶格位錯(cuò)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)