本公開(kāi)是關(guān)于一種異常檢測(cè)方法及裝置、電子設(shè)備以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,可以應(yīng)用于確定晶圓測(cè)試過(guò)程中異常產(chǎn)生原因的場(chǎng)景。該方法包括:獲取測(cè)試主體的測(cè)試數(shù)據(jù);確定測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一測(cè)試指標(biāo);測(cè)試指標(biāo)包括良率參數(shù)、阻值參數(shù)以及失效位元區(qū)域的一種或多種;確定測(cè)試主體在各測(cè)試指標(biāo)下的異常判定結(jié)果;根據(jù)確定出的異常判定結(jié)果確定測(cè)試主體出現(xiàn)異常的異常原因類(lèi)型。本公開(kāi)通過(guò)分析多維度下的晶圓測(cè)試結(jié)果,快速分析出測(cè)試表現(xiàn)異常的原因,并及時(shí)預(yù)警。
聲明:
“異常檢測(cè)方法及裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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