本發(fā)明涉及一種多層銅互連布線結(jié)構(gòu)的檢測方法,包括如下步驟:采用開封方法獲取多層銅互連布線結(jié)構(gòu)的裸
芯片;清除所述裸芯片表面的殘留物;采用反應(yīng)離子蝕刻法去除所述裸芯片表面的保護(hù)膜;采用熱熔蠟將去除保護(hù)膜后的芯片固定于研磨拋光夾具;根據(jù)失效分析的結(jié)果,對所述芯片的缺陷區(qū)域進(jìn)行平行拋光剝層操作;利用顯微觀察監(jiān)測平行拋光進(jìn)度直至達(dá)到目標(biāo)層。本發(fā)明的多層銅互連布線結(jié)構(gòu)的檢測方法,可實(shí)現(xiàn)芯片中多層銅互連布線結(jié)構(gòu)的逐層去除,實(shí)現(xiàn)密集多層銅互連布線結(jié)構(gòu)中各層次形貌的平面觀察,對多層銅互連布線結(jié)構(gòu)芯片的失效機(jī)理確認(rèn)、提高集成電路的使用可靠性有重要的意義。
聲明:
“多層銅互連布線結(jié)構(gòu)的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)