本申請公開了一種鍺硅工藝中顆粒缺陷的檢測方法,屬于半導(dǎo)體制造技術(shù),該方法包括:提供一硅襯底,所述硅襯底上制作有帶有側(cè)墻的柵極結(jié)構(gòu);在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的區(qū)域制作溝槽;在溝槽內(nèi)生成鍺硅外延層;通過薄膜淀積工藝生長間隙層,所述間隙層在所述鍺硅外延層的上方;檢測顆粒缺陷,所述顆粒缺陷由生成所述鍺硅外延層的工藝造成;解決了在鍺硅當(dāng)站因機(jī)臺檢驗(yàn)極限的限制,極微小顆粒缺陷的檢出率不高的問題;達(dá)到了提高顆粒缺陷的檢出率,降低了檢驗(yàn)失效率和成本損失的效果。
聲明:
“鍺硅工藝中顆粒缺陷的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)