本申請?zhí)峁┝艘环N光刻版及晶圓或晶圓承載臺沾污的檢測方法。該光刻版包括版圖,版圖具有等第一間距分布的多個標(biāo)記區(qū)域,標(biāo)記區(qū)域的寬度為W1,第一間距與寬度相等,標(biāo)記區(qū)域具有等第二間距分布的多個子標(biāo)記,第二間距為W2。該版圖的每一個子標(biāo)記區(qū)域在干涉圖形中均會出現(xiàn)一個干涉峰,當(dāng)某處的標(biāo)記出現(xiàn)異常時(shí),對應(yīng)的干涉峰也會出現(xiàn)偏移或振蕩,能夠讀取到明顯的干涉信號變化,因此其對沾污的檢測靈敏度較高;且該版圖還可以覆蓋到晶圓的邊緣,能夠靈敏及時(shí)地檢測到晶圓或晶圓承載臺上的沾污,進(jìn)而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的問題,提高了器件的產(chǎn)率及良率。
聲明:
“光刻版及晶圓或晶圓承載臺沾污的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)