本發(fā)明揭露了一種MOS晶體管器件柵氧化層完整性(GOI)測(cè)試的方法,包括以下步驟:提供一測(cè)試電源;將多個(gè)待測(cè)MOS晶體管器件分別連接于所述測(cè)試電源;檢測(cè)此時(shí)所述MOS晶體管器件漏電流;當(dāng)所述漏電流突然變化時(shí),開(kāi)啟偵測(cè)裝置,檢測(cè)所述MOS晶體管器件上的失效點(diǎn)。利用該方法,還可以在對(duì)MOS晶體管器件進(jìn)行柵氧化層可靠性的測(cè)試時(shí),特別是采用并行時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿(TDDB)測(cè)試時(shí),不僅可以評(píng)估待測(cè)器件的壽命,而且可以同步且及時(shí)而精確反映待測(cè)MOS晶體管器件柵極氧化層上失效點(diǎn)的具體情況,從而對(duì)器件進(jìn)行進(jìn)一步的失效分析。
聲明:
“MOS晶體管器件柵氧化層完整性測(cè)試的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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