本發(fā)明公開(kāi)了一種介質(zhì)層可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,所述介質(zhì)層可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:襯底,其上設(shè)置多個(gè)有源區(qū);至少一個(gè)待測(cè)試介質(zhì)層,設(shè)置在所述有源區(qū)上;
多晶硅層,設(shè)置在所述待測(cè)試介質(zhì)層上;輔助金屬結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述多晶硅層上,且所述輔助金屬結(jié)構(gòu)將所述多晶硅層區(qū)分為多種不規(guī)則的區(qū)域;以及輔助多晶硅結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述襯底上,且環(huán)繞所述多晶硅層設(shè)置。通過(guò)本發(fā)明提供的一種介質(zhì)層可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法,可提高失效分析的準(zhǔn)確率和效率。
聲明:
“介質(zhì)層可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)