本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),包括:若干個(gè)間隔排布的有源區(qū);連接通孔,位于靠近各所述有源區(qū)兩端的上方,且一端與所述有源區(qū)相連接;第一金屬層,與所述連接通孔遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的一端相連接;金屬疊層結(jié)構(gòu),位于所述第一金屬層上方,且與所述第一金屬層相隔有間距;所述金屬疊層結(jié)構(gòu)包括由下至上依次間隔排布的第二金屬層至第N金屬層,其中,N≥3;所述第二金屬層至所述第N金屬層均包括若干個(gè)間隔排布的金屬塊,所述金屬塊的數(shù)量與所述連接通孔的數(shù)量相同,且所述金屬塊與所述連接通孔一一上下對(duì)應(yīng)分布。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)熱點(diǎn)的精確定位,提高失效分析的成功率,縮短失效分析的時(shí)間。
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“半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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