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采用測(cè)試針卡進(jìn)行DRAM晶圓測(cè)試的方法

1057   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:14
本發(fā)明提出一種采用測(cè)試針卡進(jìn)行DRAM晶圓測(cè)試的方法,避免了由于測(cè)試針卡異常造成的量產(chǎn)滯后問(wèn)題,并同時(shí)降低了量產(chǎn)的成本。本發(fā)明的測(cè)試方案包括以下步驟:1)晶圓起測(cè);2)確定測(cè)試針卡中需要保護(hù)的關(guān)鍵探針,依次單獨(dú)進(jìn)行有關(guān)所述關(guān)鍵探針的測(cè)試項(xiàng);若某一測(cè)試項(xiàng)未通過(guò),則關(guān)斷相應(yīng)的失效芯片電源,然后對(duì)其他芯片繼續(xù)進(jìn)行下一測(cè)試項(xiàng),直至完成所有的測(cè)試項(xiàng);3)功能測(cè)試,即執(zhí)行DRAM的各種功能測(cè)試項(xiàng);4)測(cè)試結(jié)束。
聲明:
“采用測(cè)試針卡進(jìn)行DRAM晶圓測(cè)試的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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