一種基于UIS的SiC芯片測(cè)試方法。涉及一種半導(dǎo)體器件測(cè)試方法。包括以下步驟：S100，將待測(cè)的碳化硅功率器件進(jìn)行電性檢測(cè)，然后從電性檢測(cè)合格的產(chǎn)品中選取若干只碳化硅功率器件在常溫下分別進(jìn)行UIS極限能力測(cè)試，測(cè)試出相應(yīng)的UIS極限能力值，并計(jì)算平均UIS極限能力測(cè)試值，記作Emax；S200，第一次測(cè)試：將UIS極限能力測(cè)試的能量設(shè)置為Emax的25%?30%；S300，第二次測(cè)試：將UIS測(cè)試的能量設(shè)置為Emax的20%?25%，S400，第N?1次測(cè)試：將UIS測(cè)試的能量設(shè)置為Emax的5%，這一步可以將缺陷密度小于0.1 cm?2，甚至更低的管芯篩選出來；S500，第N次測(cè)試：將UIS測(cè)試的能量設(shè)置為Emax的5%，最后一次復(fù)測(cè)，確保所有潛在風(fēng)險(xiǎn)的管芯被提前激發(fā)出來；更加有效解決了SiC功率器件在可靠性端PPM級(jí)失效問題。