本發(fā)明公開了一種測試對準使用
芯片的制作方法,其特征在于,包括:步驟1、在工藝初期圖形定義時,硅片內的所有區(qū)域都進行曝光;步驟2、當該硅片因為芯片尺寸過小時,需要進行對準芯片制作時,針對此類硅片,在硅片內部完整shot的位置上,選擇一個小的區(qū)域M進行二次曝光,使區(qū)域M內的全部或部分芯片失效,形成一個失效的芯片陣列,作為測試對準使用;步驟3、根據(jù)區(qū)域M中的失效芯片周邊芯片中是否含有有效芯片,來判定測試結果是否與硅片上實際芯片結果發(fā)生左、右、上、下的偏移。本發(fā)明的測試對準使用芯片的制作方法,相對于常規(guī)使用的不曝光方式制作失效芯片的方法影響面積少,判定準確率高,并且失效芯片數(shù)目變化靈活性高等優(yōu)點。
聲明:
“測試對準使用芯片的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)