本發(fā)明提供了一種片上嵌入式Flash的內(nèi)建自測(cè)試結(jié)構(gòu),包括自定義控制模塊、FBIST控制器、ERASE模塊和BYPASS模塊,當(dāng)FBIST控制器使能后,F(xiàn)BIST控制器發(fā)起操作,依據(jù)內(nèi)部控制器狀態(tài)機(jī)與自定義控制模塊和ERASE模塊的相互配合,實(shí)現(xiàn)對(duì)其地址、讀寫的序列操作和擦除切換,并將讀出結(jié)果與片上比較器進(jìn)行測(cè)試結(jié)果比對(duì),輸出結(jié)果表征信號(hào),測(cè)試結(jié)束時(shí),測(cè)試完成標(biāo)識(shí)跳高;實(shí)現(xiàn)了對(duì)FLASH的內(nèi)部訪問(wèn)以及測(cè)試結(jié)果比較,外部?jī)H需一個(gè)測(cè)試啟動(dòng)信號(hào)和控制器時(shí)鐘信號(hào),在測(cè)試結(jié)束后通過(guò)測(cè)試完成標(biāo)志位與測(cè)試失效標(biāo)志位表征測(cè)試結(jié)果,可以掌握FLASH的失效地址、算法執(zhí)行狀態(tài)、讀寫狀態(tài)以及輸出數(shù)據(jù)信息,從而為進(jìn)一步的故障定位提供依據(jù),實(shí)現(xiàn)
芯片級(jí)或系統(tǒng)級(jí)嵌入式FLASH的內(nèi)建自測(cè)試。
聲明:
“片上嵌入式Flash的內(nèi)建自測(cè)試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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