本發(fā)明提供了一種高壓MOS器件的測試方法,用于測試半導(dǎo)體晶圓上各
芯片的高壓MOS器件是否失效,包括:在半導(dǎo)體晶圓上任選若干芯片,測試其高壓MOS器件;將所述各芯片的高壓MOS器件的一極接地,另一極與柵極接測試端;逐步升高在所述測試端施加的測試電壓,并同時測量各高壓MOS器件對應(yīng)的源漏電流;所述測試電壓的初始值小于所述高壓MOS器件的飽和電壓;根據(jù)所述測試電壓以及相應(yīng)的源漏電流,形成各芯片的高壓MOS器件的輸出特性曲線;根據(jù)所述輸出特性曲線判定所述高壓MOS器件是否失效。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用遞增調(diào)整測試電壓的方式,測試源漏電流,能夠避免因寄生效應(yīng)導(dǎo)致源漏電流過小,而發(fā)生錯誤判定的問題。
聲明:
“高壓MOS器件測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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