本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器
芯片上測(cè)試單個(gè)比特的方法,包括步驟:提供存儲(chǔ)器芯片,將所述存儲(chǔ)器芯片減薄到目標(biāo)比特的字線層;在所述字線層的柵極上形成導(dǎo)電層;提供測(cè)試信號(hào)給所述導(dǎo)電層,通過(guò)探針測(cè)試單個(gè)比特的電氣特性。在本發(fā)明提供的存儲(chǔ)器芯片上測(cè)試單個(gè)比特的方法中,首先將存儲(chǔ)器芯片減薄到字線層,暴露出字線層的柵極,在柵極上形成導(dǎo)電層,然后通過(guò)給所述導(dǎo)電層提供測(cè)試信號(hào),可實(shí)現(xiàn)將所有連接導(dǎo)電層的柵極打開(kāi),再通過(guò)探針測(cè)試單個(gè)比特的電氣特性,完成存儲(chǔ)器芯片上單個(gè)比特的失效測(cè)試。
聲明:
“存儲(chǔ)器芯片上測(cè)試單個(gè)比特的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)