本實(shí)用新型涉及散熱式射頻測(cè)試平臺(tái),用于對(duì)含有射頻微波信號(hào)端口的待測(cè)件進(jìn)行測(cè)試,包括金屬底座、壓緊蓋以及絕緣基座,所述絕緣基座的頂部開設(shè)有待測(cè)件放置槽,所述絕緣基座內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)熱嵌件,所述導(dǎo)熱嵌件的底面與金屬底座的頂面貼合,所述導(dǎo)熱嵌件內(nèi)設(shè)置有接地針,所述接地針貫穿導(dǎo)熱嵌件,所述接地針的上端與待測(cè)件接觸,所述接地針的下端與金屬底座接觸,所述導(dǎo)熱嵌件內(nèi)還設(shè)置有導(dǎo)熱組件,所述導(dǎo)熱組件包括導(dǎo)熱柱以及使得導(dǎo)熱柱始終具有朝向待測(cè)件放置槽運(yùn)動(dòng)趨勢(shì)的彈性件,所述導(dǎo)熱柱的頂部延伸至待測(cè)件放置槽內(nèi)。本實(shí)用新型提升了射頻測(cè)試平臺(tái)在測(cè)試過程中對(duì)于
芯片的散熱效果,降低了由于芯片的溫度過高導(dǎo)致芯片失效的概率。
聲明:
“散熱式射頻測(cè)試平臺(tái)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)