本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)
芯片性能的測(cè)試方法及裝置。該方法包括:向待測(cè)試存儲(chǔ)芯片執(zhí)行設(shè)定數(shù)量的全盤寫入和讀取操作;在全盤寫入的過程中,對(duì)待測(cè)試存儲(chǔ)芯片所包括的每個(gè)存儲(chǔ)單元,進(jìn)行擦除次數(shù)計(jì)數(shù)并記錄;在全盤讀取之后,將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì),以記錄每個(gè)存儲(chǔ)單元的錯(cuò)誤位數(shù);在全盤寫入和讀取的過程中,記錄寫入性能參數(shù)和讀取性能參數(shù);重復(fù)執(zhí)行上述測(cè)試過程,直至所述待測(cè)試存儲(chǔ)芯片老化失效。通過本發(fā)明的技術(shù)方案,能夠?qū)Υ鎯?chǔ)芯片的老化性能進(jìn)行有效測(cè)試。
聲明:
“存儲(chǔ)芯片性能的測(cè)試方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)