本發(fā)明公開一種SiC MOSFET模塊全生命周期結(jié)溫在線預(yù)測方法，具體按照以下步驟實(shí)施：步驟1，采用全新的SiC MOSFET模塊做功率循環(huán)直到模塊完全老化失效；在功率循環(huán)期間采樣該SiC MOSFET模塊的電氣參數(shù)作為數(shù)據(jù)集；步驟2，建立SiC MOSFET模塊結(jié)溫預(yù)測模型，包括依次連接的第一BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型和第二BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型；步驟3，采用數(shù)據(jù)集對(duì)進(jìn)行模型訓(xùn)練；步驟4，將訓(xùn)練好的SiC MOSFET模塊結(jié)溫預(yù)測模型移植到FPGA中，在被測的SiC MOSFET模塊實(shí)際運(yùn)行中，輸入電流Id，實(shí)時(shí)輸出對(duì)應(yīng)的結(jié)溫Tc。本發(fā)明能夠準(zhǔn)確得到SiC MOSFET模塊的結(jié)溫，確保帶模塊安全穩(wěn)定運(yùn)行。