本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種提高透射電鏡圖像質(zhì)量的平面樣品制備方法。首先通過(guò)電性測(cè)試方法獲取失效點(diǎn)位置,之后根據(jù)失效點(diǎn)位置于待測(cè)樣品正面形成第一開(kāi)口、于待測(cè)樣品背面形成第二開(kāi)口;并繼續(xù)將待測(cè)樣品放置于沸騰的膽堿配比溶液中保持5-10min,以徹底去除第二開(kāi)口底部的硅襯底;然后通過(guò)刻蝕工藝去除第一開(kāi)口下方的絕緣層和第二
多晶硅層;最后利用透射電鏡圖像來(lái)分析失效點(diǎn)。通過(guò)本方法使失效區(qū)域多晶硅透射電鏡圖像不受非缺陷區(qū)域的干擾,得到一個(gè)較為均勻清晰的待測(cè)樣品的透射電鏡圖像,從而更容易發(fā)現(xiàn)缺陷,以進(jìn)一步提高器件缺陷分析的效率。
聲明:
“提高透射電鏡圖像質(zhì)量的平面樣品制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)