本發(fā)明公開(kāi)了一種塑封光耦解剖方法,通過(guò)X射線檢查塑封光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu),利用激光開(kāi)封機(jī)對(duì)塑封光耦進(jìn)行局部去除,對(duì)塑封光耦的發(fā)光部分和接收部分進(jìn)行分離,然后采用濃硫酸浸泡的方式,去除
芯片表面的導(dǎo)光膠,實(shí)現(xiàn)失效分析以及DPA工作中的鍵合強(qiáng)度及芯片粘接分析工作。使得光耦解剖后,框架完整、芯片粘接及鍵合完整,可有效擴(kuò)展塑封光耦的分析能力,即立體結(jié)構(gòu)的塑封光耦也可進(jìn)行鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)及芯片粘接分析。
聲明:
“塑封光耦解剖方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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