本發(fā)明涉及半導(dǎo)體失效分析技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵氧化層漏電點(diǎn)的定位方法，應(yīng)用于一包括柵氧化層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述柵氧化層上方沉積有多晶硅柵、硅化物層和金屬互連層，且所述柵氧化層中包括一個(gè)或多個(gè)漏電點(diǎn)，所述定位方法包括：步驟S1，對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行漏電點(diǎn)粗定位，以在所述柵氧化層上方定位出包括所述失效點(diǎn)的熱點(diǎn)區(qū)域；步驟S2，去除所述金屬互連層和所述硅化物層，以暴露所述多晶硅柵；步驟S3，對(duì)應(yīng)所述熱點(diǎn)區(qū)域在所述多晶硅柵上方形成金屬層區(qū)域；步驟S4，采用電壓對(duì)比工藝對(duì)所述多晶硅柵上方的所述金屬層區(qū)域進(jìn)行測(cè)試，正對(duì)所述漏電點(diǎn)的所述金屬層區(qū)域在所述電壓對(duì)比工藝下呈現(xiàn)高于其他區(qū)域的亮度，從而定位出所述漏電點(diǎn)。