本發(fā)明公開了一種基于Weibull分布的MOS晶體管可靠性統(tǒng)計(jì)模型的建模方法,測(cè)試MOS晶體管的失效時(shí)間數(shù)據(jù),經(jīng)統(tǒng)計(jì)分析獲得累積分布函數(shù)估計(jì)值和概率密度函數(shù)估計(jì)值,繪制累積分布函數(shù)曲線和概率密度函數(shù)曲線,以其為擬合標(biāo)準(zhǔn),獲得Weibull分布模型下的概率密度函數(shù)擬合曲線和累積分布函數(shù)擬合曲線,判斷函數(shù)擬合曲線和繪制得到的函數(shù)曲線的相對(duì)誤差是否在預(yù)定值之內(nèi),記錄Weibull分布模型中的模型參數(shù),得到失效時(shí)間和模型參數(shù)的查表文件的模型庫(kù),得到Weibull分布下MOS晶體管的可靠性統(tǒng)計(jì)模型。
聲明:
“基于Weibull分布的MOS晶體管可靠性統(tǒng)計(jì)模型的建模方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)