本發(fā)明提供了一種制備透射電鏡樣品的方法,包括:提供待觀測
芯片,所述待觀測芯片包含一待觀測區(qū)域;對所述待觀測芯片的正面和/或背面進行減薄,得到初樣;將一空心環(huán)固定在所述初樣正面,所述待觀測區(qū)域位于所述空心環(huán)內(nèi);通過干法刻蝕對所述初樣進行減薄,得到透射電鏡樣品。在本發(fā)明提供的制備透射電鏡樣品的方法中,將一空心環(huán)固定在減薄處理后的初樣上,通過空心環(huán)來確定待觀測區(qū)域,再通過干法刻蝕所述減薄后的初樣,從而制備成適合透射電鏡觀測的樣品,形成超大面積的觀測區(qū)域,滿足相關(guān)案例需求,填補失效分析技術(shù)空白,提高工作效率。
聲明:
“制備透射電鏡樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)