本發(fā)明公開了一種定點(diǎn)平面TEM樣品制備方法,包括:步驟1:對TEM樣品的目標(biāo)進(jìn)行定位;步驟2:研磨所述TEM樣品,使所述TEM樣品的邊緣距離目標(biāo)5~15um;步驟3:切割上述TEM樣品的截面;步驟4:將上述TEM樣品放入聚焦離子束中進(jìn)行平面制樣。本發(fā)明通過結(jié)合研磨、截面切割、FIB平面制樣的方法,大大提高了TEM定點(diǎn)平面制備的成功率,同時(shí)也極大地提高了平面TEM樣品的質(zhì)量,對失效分析、結(jié)構(gòu)分析等提供了極大的幫助。
聲明:
“定點(diǎn)平面TEM樣品制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)