本發(fā)明公開(kāi)了一種反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝,目的是確保鎢柱完整及表面潔凈無(wú)雜質(zhì)(如圖1),利于掃描電子顯微鏡觀察,分析失效原因。根據(jù)
芯片樣本表面的欲蝕刻材料選擇相應(yīng)的蝕刻氣體,并在蝕刻氣體中加入惰性氣體;蝕刻過(guò)程中主要通過(guò)調(diào)整樣品的傾斜角度、過(guò)程清洗及產(chǎn)生高速撞擊離子的設(shè)備的功率、蝕刻氣體和惰性氣體的配比來(lái)控制欲蝕刻樣本的表面欲蝕刻材料和非欲蝕刻材料的蝕刻速度比。通過(guò)本發(fā)明提供的控制方法能夠使反應(yīng)離子蝕刻保留具有各向異性特點(diǎn),同時(shí)又能獲得高刻蝕選擇比。本發(fā)明還提供了一種控制反應(yīng)離子蝕刻的蝕刻速度的系統(tǒng)。
聲明:
“反應(yīng)離子蝕刻的蝕刻速度控制方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)