本發(fā)明公開了一種利用對(duì)稱性雙向劃片的單臺(tái)面高壓可控硅芯片，包括N?型長(zhǎng)基區(qū)正面的P型短基區(qū)與N+型發(fā)射區(qū)連接成一體，N?型長(zhǎng)基區(qū)背面的背面P型短基區(qū)通過P型對(duì)通隔離環(huán)與正面P型短基區(qū)相連。制造方法：硅片檢驗(yàn)、生長(zhǎng)氧化膜、光刻隔離窗、隔離劃片、雙面注入鋁、隔離擴(kuò)散、雙面注入硼、雙面注入鋁、P型短基區(qū)擴(kuò)散、光刻發(fā)射區(qū)、發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散、光刻鈍化槽、鈍化槽腐蝕、鈍化槽保護(hù)、光刻引線區(qū)、雙面蒸發(fā)電極、光刻反刻區(qū)、合金、測(cè)試、劃切。本發(fā)明解決了焊錫膏焊接時(shí)因溢料導(dǎo)致成品管的電壓失效問題；解決了因樹脂填充不完全出現(xiàn)成品管內(nèi)部空氣擊穿問題；解決了因采用厚片而出現(xiàn)的不銜接，不受控等問題，提高了生產(chǎn)效率和良品率。