一種在半導(dǎo)體工藝后段制程中用于清除介電層刻蝕后殘留在硅片上的聚合物的方法。現(xiàn)有的去膠方法存在聚合物無法徹底清除,造成出貨鏡檢失效率超標(biāo)的問題。本發(fā)明的用于半導(dǎo)體工藝后段制程的聚合物殘留去除方法,包括下列步驟:(1)對刻蝕后的硅片進行干法去膠;(2)對經(jīng)過步驟(1)處理的硅片進行濕法清洗;于步驟(2)之后再作一步干法去膠步驟。利用本發(fā)明的聚合物殘留去除方法,可使出貨鏡檢失效率降為零,并達到幾乎不增加成本而提高良率的有益效果。適用于壓點、通孔、接觸孔等容易形成聚合物殘留的集成電路結(jié)構(gòu)。
聲明:
“用于半導(dǎo)體工藝后段制程的聚合物殘留去除方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)