本發(fā)明公開一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與晶片,該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包含:多個介電層,在至少一切割線上具有多個對準(zhǔn)排列的工藝控制監(jiān)測墊;以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu),設(shè)置于最上方的工藝控制監(jiān)測墊之上,該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接最上方的工藝控制監(jiān)測墊至其上方的待測元件,該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸及形狀被設(shè)計為露出最上方的工藝控制監(jiān)測墊的主要部分,以利于測試探針接近。所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與晶片在晶粒切割工藝中能夠降低失效的比率,進(jìn)而達(dá)到較高的優(yōu)良率。
聲明:
“內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與晶片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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