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基于Si IGBT/SiC MOS混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器及其故障運行控制方法

1330   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-19 09:02:35
本發(fā)明公開了一種基于Si IGBT/SiC MOS混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器及其故障運行控制方法,該變換器為半橋結構,上橋臂和下橋臂均由(n+r)個混合并聯(lián)器件串聯(lián)組成,其中n個器件維持正常運行,r個器件用作冗余,每個混合并聯(lián)器件由a個SiC MOS和b個IGBT并聯(lián)組成,每個IGBT/SiC MOS包含一個驅動器,變換器包含一個總的中央控制器,負責器件的驅動序列、狀態(tài)監(jiān)測和控制策略調整。若變換器中某一功率器件失效,故障運行控制策略能夠在一個開關周期內判斷失效的位置、上傳變換器的運行狀況,并采用控制策略維持正常運行。本發(fā)明提出的變換器兼顧高壓大功率和高頻高功率密度的優(yōu)勢,提出的故障控制策略可保證變換器在器件故障情況下繼續(xù)正常運行,提升了系統(tǒng)的容錯性。
聲明:
“基于Si IGBT/SiC MOS混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器及其故障運行控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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