本發(fā)明公開(kāi)了一種硅通孔的容錯(cuò)單元與容錯(cuò)方法。硅通孔容錯(cuò)單元包括硅通孔結(jié)構(gòu)TSV1~TSVn、節(jié)點(diǎn)N11~N1n、節(jié)點(diǎn)N21~N2n以及開(kāi)關(guān)模塊。硅通孔結(jié)構(gòu)TSVi連接于第一
芯片的節(jié)點(diǎn)N1i與第二芯片的節(jié)點(diǎn)N2i之間,其中1≤i≤n。開(kāi)關(guān)模塊連接于第二芯片的節(jié)點(diǎn)N21~N2n與第二芯片的測(cè)試路徑之間。在正常操作狀態(tài)下,當(dāng)硅通孔結(jié)構(gòu)TSV1~TSVn有效時(shí),開(kāi)關(guān)模塊不連接該測(cè)試路徑與節(jié)點(diǎn)N21~N2n。在正常操作狀態(tài)下,當(dāng)硅通孔結(jié)構(gòu)TSVi失效時(shí),開(kāi)關(guān)模塊將節(jié)點(diǎn)N2i連接至其它第二節(jié)點(diǎn)中至少其中之一。在測(cè)試狀態(tài)下,開(kāi)關(guān)模塊將該測(cè)試路徑連接至節(jié)點(diǎn)N21~N2n。本發(fā)明容錯(cuò)單元不需增加額外的硅通孔結(jié)構(gòu)便可以實(shí)現(xiàn)硅通孔容錯(cuò)的效果。
聲明:
“硅通孔的容錯(cuò)單元與方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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