本實(shí)用新型公開了一種帶結(jié)溫監(jiān)控的MOSFET間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)的電路控制結(jié)構(gòu),包括用于生產(chǎn)穩(wěn)點(diǎn)電壓信號(hào)的信號(hào)源,信號(hào)源的輸出端與用于固定測(cè)試電路的老化板的輸入端電性連接,老化板包括上分別固定有信號(hào)源采集電路、被測(cè)電路、VH信號(hào)采集電路和VM信號(hào)采集電路,VH信號(hào)采集電路的輸出端輸出端和VM信號(hào)采集電路的輸出端分別與上位機(jī)的信號(hào)輸入端電性連接。本實(shí)用新型克服了傳統(tǒng)的MOSFET間歇壽命試驗(yàn)中由于沒有設(shè)置結(jié)溫監(jiān)控導(dǎo)致在試驗(yàn)中易出現(xiàn)器件失效的風(fēng)險(xiǎn)的問題。本實(shí)用新型具有采集數(shù)據(jù)方便、計(jì)算數(shù)據(jù)方便和測(cè)量精度較高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“帶結(jié)溫監(jiān)控的MOSFET間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)的電路控制結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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