一種半導(dǎo)體器件及其形成方法,所述形成方法可以包括:提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括
芯片區(qū)以及切割道區(qū);在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成頂層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu);形成鈍化層,所述鈍化層覆蓋所述頂層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu),所述切割道區(qū)的鈍化層高于所述芯片區(qū)的鈍化層;對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕,以暴露出所述芯片區(qū)和切割道區(qū)內(nèi)的頂層金屬互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明方案有助于避免引線落在接地的測(cè)試鍵上,降低芯片發(fā)生短路失效的可能性。
聲明:
“半導(dǎo)體器件及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)