本發(fā)明公開了一種陶瓷基
復(fù)合材料在高溫環(huán)境下疲勞遲滯回線的模擬方法,包括以下步驟:確定飽和基體裂紋密度及裂紋寬度;確定氧氣在復(fù)合材料基體裂紋中擴(kuò)散通道的平均寬度;確定基體裂紋處氧化層離裂紋壁面的厚度
,界面氧化長度,纖維缺口半徑隨氧化時間的變化規(guī)律;確定基體裂紋處氧化層離裂紋壁面的厚度
,界面氧化長度
,纖維氧化層厚度
隨加載循環(huán)數(shù)的變化規(guī)律;確定界面滑移區(qū)分布及復(fù)合材料應(yīng)力應(yīng)變關(guān)系;確定界面剪應(yīng)力隨循環(huán)數(shù)的變化規(guī)律;確定纖維失效百分?jǐn)?shù)及體積分?jǐn)?shù)隨循環(huán)數(shù)的變化規(guī)律,本發(fā)明模擬方法可用于預(yù)測高溫氧化環(huán)境下單向SiC/SiC復(fù)合材料的疲勞遲滯曲線,準(zhǔn)確判斷加載應(yīng)力對陶瓷基復(fù)合材料造成的損傷。
聲明:
“陶瓷基復(fù)合材料在高溫環(huán)境下疲勞遲滯回線的模擬方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)