本發(fā)明公開了一種溝槽柵MOS器件缺陷驗證方法,包含:第一步,對溝槽柵MOS器件樣品進行電學(xué)測試,掃描柵極對源極的漏電曲線;第二步,根據(jù)漏電曲線的特性,初步判定缺陷的大致位置;第三步,采用亮點定位工具,定位失效溝槽在
芯片上的位置;第四步,結(jié)合第二步的判定結(jié)果,選擇對應(yīng)的研磨或聚焦離子束方法進行制樣;采用KOH或NaOH溶液溶解殘留的柵極
多晶硅,找到缺陷位置。
聲明:
“溝槽柵MOS器件缺陷驗證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)