本發(fā)明提供一種溝槽式MOSFET的制造方法,通過在形成溝槽后去除抗反射涂層之前,先在所述溝槽的側(cè)壁和底部上形成一層氧化硅保護(hù)層,然后再使用加熱至一定溫度的磷酸來腐蝕去除抗反射涂層,可以避免所述磷酸對所述溝槽側(cè)壁和底部造成損傷;在去除抗反射涂層后,去除所述氧化硅保護(hù)層,而后在所述溝槽內(nèi)形成的柵氧化層具有較高的質(zhì)量,在測試或使用的過程中不會出現(xiàn)破損而形成柵極與源極的泄露通道,進(jìn)而使得整個溝槽式MOSFET器件失效的問題。
聲明:
“溝槽式MOSFET的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)