權(quán)利要求書： 1.一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，包括：基板，在基板的下邊沿上設置有電解液進口，在基板的上邊沿右側(cè)正面上設置有氫氣出口，在基板的上邊沿左側(cè)反面上設置有氧氣出口，在基板上沖壓有若干個乳突，乳突所在處的基板的一側(cè)表面突起、另一側(cè)表面凹陷，其特征在于：基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板左側(cè)區(qū)域的乳突的密度，基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板右側(cè)區(qū)域的乳突的密度，在基板左側(cè)區(qū)域中設置有若干個單向突點，單向突點所在處的基板的正面凹陷、反面突起，單向突點的突起高度小于基板上的各個乳突的突起高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：每個區(qū)域中的各個乳突橫平豎直排列，每個區(qū)域中的每橫排和每豎列中的各個乳突均以一個在基板的正面形成突起、一個在基板的反面形成突起而依次交替間隔布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板中部區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板左側(cè)區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板右側(cè)區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從中間向兩側(cè)逐漸擴大。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板上的各個乳突的突起高度均相等，基板中部區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為A，基板左側(cè)區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為C，基板右側(cè)區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為B，B＞A，C＞A。

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其特征在于：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為1，基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K1，基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為3，基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K3，基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為2，基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K2，2＞1、3＞1或者K2＞K1、K3＞K1。

說明書： 一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板技術(shù)領域[0001] 本發(fā)明涉及電解制氫領域，具體涉及電解制氫用非均勻雙極式乳突板。背景技術(shù)[0002] 水電解制氫用的電解槽中的極板的結(jié)構(gòu)包括乳突板，乳突板上沖壓有乳突，乳突用于固定鎳網(wǎng)，形成電子傳輸通道，同時與隔膜之間形成供電解液流動的空間?，F(xiàn)有的乳突板上的乳突都均勻?qū)ΨQ分布、且乳突大小相同，這種結(jié)構(gòu)導致乳突板表面上電解液流動的不均勻性，乳突板中部區(qū)域的流速相對較大（符合兩點之間距離最短最省力的常識），乳突板左、右兩側(cè)區(qū)域流速較小，流速低的區(qū)域氣泡容易堆積而降低電解效率；流動的不均勻會使電解槽內(nèi)部溫度不均，溫度控制更困難。發(fā)明內(nèi)容[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：將提供一種能提高乳突板表面流場分布均勻性的電解制氫用非均勻雙極式乳突板。[0004] 為了解決上述問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，包括：基板，在基板的下邊沿上設置有電解液進口，在基板的上邊沿右側(cè)正面上設置有氫氣出口，在基板的上邊沿左側(cè)反面上設置有氧氣出口，在基板上沖壓有若干個乳突，乳突所在處的基板的一側(cè)表面突起、另一側(cè)表面凹陷，其特征在于：基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板左側(cè)區(qū)域的乳突的密度，基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板右側(cè)區(qū)域的乳突的密度，在基板左側(cè)區(qū)域中設置有若干個單向突點，單向突點所在處的基板的正面凹陷、反面突起，單向突點的突起高度小于基板上的各個乳突的突起高度。[0005] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：每個區(qū)域中的各個乳突橫平豎直排列，每個區(qū)域中的每橫排和每豎列中的各個乳突均以一個在基板的正面形成突起、一個在基板的反面形成突起而依次交替間隔布置。[0006] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板中部區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。[0007] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板左側(cè)區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。[0008] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板右側(cè)區(qū)域上的各個相鄰乳突之間的上下距離和左右距離均相等。[0009] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從中間向兩側(cè)逐漸擴大。[0010] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大。[0011] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大。[0012] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。[0013] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。[0014] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離從下向上逐漸擴大。[0015] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板上的各個乳突的突起高度均相等，基板中部區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為A，基板左側(cè)區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為C，基板右側(cè)區(qū)域上的各個乳突的突起的外輪廓直徑均為B，B＞A，C＞A。[0016] 進一步的，前述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板，其中：基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為1，基板中部區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K1，基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為3，基板左側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K3，基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的左右距離均為2，基板右側(cè)區(qū)域的各個相鄰乳突之間的上下距離均為K2，2＞1、3＞1或者K2＞K1、K3＞K1。[0017] 本發(fā)明的優(yōu)點為：所述的非均勻雙極式乳突板由于其上的基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板左側(cè)區(qū)域的乳突的密度、基板中部區(qū)域的乳突的密度大于基板右側(cè)區(qū)域的乳突的密度，使得乳突板中部區(qū)域流阻更大，電解液分配相對較少，從而使中部區(qū)域的流速能降低，而乳突板左右兩側(cè)的乳突密度較小，流阻也相對較小，電解液分配與原設計相比相對較多，從而使乳突板左右兩側(cè)的流速能提高，這樣使乳突板表面中部區(qū)域和左側(cè)區(qū)域、中部區(qū)域和右側(cè)區(qū)域之間的流速差能減少，從而能使電解液在乳突板表面上比較均勻的流動；另外，由于在基板左側(cè)區(qū)域中設置有若干個單向突點，單向突點所在處的基板的正面凹陷、反面突起，使得流過基板左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域的電解液的流量差距能減小。

附圖說明[0018] 圖1為本發(fā)明所述的電解制氫用非均勻雙極式乳突板的一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0019] 圖2為圖1中所示的非均勻雙極式乳突板的后視結(jié)構(gòu)示意圖。[0020] 圖3為本發(fā)明所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0021] 圖4為本發(fā)明所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板的再一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0022] 圖5為本發(fā)明所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板的又一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0023] 圖6為本發(fā)明所述的一種電解制氫用非均勻雙極式乳突板的剖切結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式[0024] 下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進一步的詳細描述。[0025] 如圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6所示，一種電解制氫的非均勻雙極式乳突板，包括：基板1，本實施例中，基板1為圓形板，在基板1的下邊沿上設置有電解液進口2，在基板1的上邊沿右側(cè)正面上設置有氫氣出口31，在基板1的上邊沿左側(cè)反面上設置有氧氣出口32，在基板1上沖壓有若干個乳突4，乳突4所在處的基板1的一側(cè)表面突起、另一側(cè)表面凹陷，基板中部區(qū)域5的乳突4的密度大于基板左側(cè)區(qū)域7的乳突4的密度，基板中部區(qū)域5的乳突4的密度大于基板右側(cè)區(qū)域6的乳突4的密度，在基板1左側(cè)區(qū)域7中設置有若干個單向突點8，單向突點8所在處的基板1的正面凹陷、反面突起，單向突點8的突起高度小于基板1上的各個乳突4的突起高度。

[0026] 在基板1的正面上，由于氫氣出口31位于基板1右側(cè)區(qū)域6的上端，使得電解液容易流向右側(cè)區(qū)域6，這樣流向左側(cè)區(qū)域7中的電解液會大大減少，從而會降低左側(cè)區(qū)域7的電解效率，為了縮小左側(cè)區(qū)域7和右側(cè)區(qū)域6中電解液流量的差距，在左側(cè)區(qū)域7中設置有若干個單向突點8，并且使每個單向突點8在基板1的正面上形成一個凹槽，這樣使基板1正面的左側(cè)區(qū)域7能更多的容納電解液，從而能更好的引流電解液，使得流向右側(cè)區(qū)域6的電解液能減少，流向左側(cè)區(qū)域7的電解液能增多。[0027] 在基板1的反面上，由于氧氣出口32位于左側(cè)區(qū)域7的上端，使得電解液容易流向左側(cè)區(qū)域7，這樣流向右側(cè)區(qū)域6中的電解液會大大減少，從而會降低右側(cè)區(qū)域6的電解效率，為了縮小左側(cè)區(qū)域7和右側(cè)區(qū)域6中電解液流量的差距，在左側(cè)區(qū)域7中設置有若干個單向突點8，并且使每個單向突點8在基板1的反面上形成一個小突點，各個小突點能阻礙電解液從左側(cè)區(qū)域7流過，使得流向左側(cè)區(qū)域7的電解液能減少，流向右側(cè)區(qū)域6的電解液能增多。[0028] 在本實施例中，每個區(qū)域中的各個乳突4橫平豎直排列，每個區(qū)域中的每橫排和每豎列中的各個乳突4均以一個在基板1的正面形成突起、一個在基板1的反面形成突起而依次交替間隔布置。[0029] 圖1、圖2所示的是非均勻雙極式乳突板的一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖1、圖2中，基板1中部區(qū)域5上的各個相鄰乳突4之間的上下距離和左右距離均相等，均為S1?；?左側(cè)區(qū)域7上的各個相鄰乳突4之間的上下距離和左右距離均相等，均為S3。基板1右側(cè)區(qū)域6上的各個相鄰乳突4之間的上下距離和左右距離均相等，均為S2；S1＜S3，S1＜S2。[0030] 圖3所示的是非均勻雙極式乳突板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖3中，基板1中部區(qū)域5的各個相鄰乳突4之間的左右距離從中間向兩側(cè)逐漸擴大，1＜2＜3?；?左側(cè)區(qū)域7的各個相鄰乳突4之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大，M1＜M2＜M3＜M4。基板1右側(cè)區(qū)域6的各個相鄰乳突4之間的左右距離從內(nèi)向外逐漸擴大，N1＜N2＜N3＜N4＜N5。[0031] 圖4所示的是非均勻雙極式乳突板的再一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖4中，基板1中部區(qū)域5的各個相鄰乳突4之間的左右距離均為1，基板1中部區(qū)域的各個相鄰乳突4之間的上下距離均為K1，基板1左側(cè)區(qū)域7的各個相鄰乳突4之間的左右距離均為3，基板1左側(cè)區(qū)域7的各個相鄰乳突4之間的上下距離均為K3，基板1右側(cè)區(qū)域6的各個相鄰乳突4之間的左右距離均為2，基板1右側(cè)區(qū)域6的各個相鄰乳突4之間的上下距離均為K2，2＞1、3＞1且K2＞K1、K3＞K1。[0032] 圖5所示的是非均勻雙極式乳突板的又一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖5中，基板1中部區(qū)域5的各個相鄰乳突4之間的上下距離從下向上逐漸擴大，A1＜A2＜A3＜A4＜A5?；?左側(cè)區(qū)域7的各個相鄰乳突4之間的上下距離從下向上逐漸擴大，C1＜C2＜C3＜C4＜C5?；?右側(cè)區(qū)域6的各個相鄰乳突4之間的上下距離從下向上逐漸擴大，B1＜B2＜B3＜B4＜B5。

[0033] 如圖5所示，基板1上的各個乳突4的突起高度均相等，基板1中部區(qū)域5上的各個乳突4的突起的外輪廓直徑均為A，基板1左側(cè)區(qū)域7上的各個乳突4的突起的外輪廓直徑均為C，基板1右側(cè)區(qū)域6上的各個乳突4的突起的外輪廓直徑均為B，B＞A，C＞A。