1972年A.Fujishima和K.Honda[1] 發(fā)現(xiàn)，在自然光照射下n型半導(dǎo)體TiO2電極上的水發(fā)生光電催化分解 TiO2以其化學(xué)穩(wěn)定性高、耐酸堿、無(wú)毒等的特點(diǎn)而倍受關(guān)注[2-4] 但是，TiO2的最低吸收邊波長(zhǎng)為387.5 nm，限制了在自然光照射下的應(yīng)用 同時(shí)，TiO2較高的電子-空穴復(fù)合率使其量子產(chǎn)率較低和在可見光下不具有光催化活性[5] 因此，必須拓寬TiO2的光吸收范圍和抑制光生電子-空穴的復(fù)合以提高其光催化活性 為此，人們對(duì)TiO2進(jìn)行離子摻雜改性[6,7]、半導(dǎo)體復(fù)合改性[8~10]、非金屬摻雜改性[11~14]以及表面光敏化改性等改性[15] 在非金屬摻雜改性方法中，碳摻雜改性不僅廉價(jià)且環(huán)境友好，還能降低復(fù)合物的禁帶寬度、加速表面電子的轉(zhuǎn)移和減少電子空穴的復(fù)合幾率 目前采用碳材料改性TiO2光催化劑，主要有碳負(fù)載TiO2[16,17]、碳包覆TiO2[18]、碳量子點(diǎn)摻雜[19]及摻雜碳元素[20]等 本文采用球磨工藝制備石墨/TiO2復(fù)合光催化劑，以甲基橙為目標(biāo)降解物，研究石墨摻入量和球磨時(shí)間對(duì)石墨/TiO2復(fù)合光催化劑光催化活性的影響

1 實(shí)驗(yàn)方法1.1 石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的制備

采用球磨工藝制備了石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑 在20.0 g TiO2粉末中摻入不同質(zhì)量的石墨粉，然后與瑪瑙球按1:10的質(zhì)量比例放入球磨罐中混合，加入10.0 ml的無(wú)水乙醇作為分散介質(zhì)；以350 r/min的速度球磨不同時(shí)間后取出，在120℃烘干后再在瑪瑙研缽中研磨10 min，得到石墨/TiO2復(fù)合光催化劑 石墨摻入量(質(zhì)量百分比)分別為1.0%，2.5%，5.0%和10%；球磨時(shí)間分別為4 h，8 h，12 h和24 h

1.2 樣品的表征

用Bruker AXS D8 Advance型X射線衍射儀(XRD)檢測(cè)樣品的晶相組成，工作電壓40 kV，電流40 mA，Cu靶(λ=0.15418 nm)，測(cè)試速度0.1 sec/step，步長(zhǎng)0.02°；用QUANTA FEG 400掃描電鏡(SEM)觀察樣品的形貌；用EDAX GENESIS型能譜儀(EDS)測(cè)定元素及其比例；用Tecnai G2 F20型透射電鏡(TEM)檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和表面缺陷，電壓200 kV；用ESCALAB 250Xi型X射線光電子能譜儀(XPS)分析表面元素組成及化學(xué)態(tài)，單色Al Kα (hv=1486.6 eV)，功率150 W，500 μm束斑，結(jié)合能以C1s 284.8校準(zhǔn)

1.3 光催化活性的評(píng)價(jià)

在自制光催化反應(yīng)器中進(jìn)行光催化降解甲基橙實(shí)驗(yàn) 反應(yīng)器的容量為500 mL，上方放置300 W的氙燈，用磁力攪拌器攪拌溶液 實(shí)驗(yàn)時(shí)，在濃度為10 mg/L的200 mL甲基橙溶液中加入0.02 g催化劑，在避光條件下攪拌30 min使甲基橙在樣品表面的吸附與脫附達(dá)到平衡，開啟氙燈進(jìn)行計(jì)時(shí)并間隔一定時(shí)間取樣(5 mL)并離心分離，取上層清液用D-8型紫外可見光分光光度計(jì)于462 nm處測(cè)定其吸光度以檢測(cè)甲基橙濃度的變化，并據(jù)此評(píng)價(jià)催化劑的光催化活性 根據(jù)吸光度計(jì)算甲基橙的光催化降解率η

η=C0-CtC0×100%=A0-AtA0×100%

(1)

式(1)中C0為光催化0 min時(shí)的溶液濃度；Ct為光催化t時(shí)刻的溶液濃度；A0為光催化0 min時(shí)的溶液吸光度；At為光催化降解t時(shí)刻下的溶液吸光度

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論2.1 X射線衍射圖譜(XRD)分析

圖1給出了球磨時(shí)間為12 h，石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的X射線衍射譜 由圖1可見，與純TiO2相比，在石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的X射線衍射譜中2θ=26.60°處出現(xiàn)了石墨的衍射峰，且隨著石墨摻入量的增加衍射峰逐漸增強(qiáng) 銳鈦型TiO2(101)晶面的衍射峰最強(qiáng) 對(duì)比石墨/TiO2復(fù)合光催化劑和純的TiO2在(101)晶面的衍射峰，可見石墨/TiO2復(fù)合光催化劑在(101)晶面的衍射峰均出現(xiàn)了寬化 其原因可能是，石墨/TiO2復(fù)合光催化劑經(jīng)過12 h球磨后，在TiO2顆粒表面產(chǎn)生了氧空位等缺陷 其中，石墨摻入量為5%的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑在(101)晶面的衍射峰右移最多，2θ由純的TiO2的25.30°右移至25.40° 圖2給出了球磨時(shí)間不同的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的X射線衍射譜 從圖2可見，石墨/TiO2復(fù)合光催化劑均有銳鈦型TiO2和石墨的衍射峰，隨著球磨時(shí)間的增加2θ由純的TiO2的25.30°，分別變?yōu)?5.32°、25.40°、25.40°和25.52° 這表明：隨著球磨時(shí)間的增加TiO2晶粒的尺寸變小、表面缺陷的產(chǎn)生和石墨包覆在TiO2顆粒表面，使(101)面的衍射峰逐漸右移且伴隨衍射峰的寬化

圖1



圖1石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的 XRD譜

Fig.1XRD patterns of graphite/TiO2 composite photocatalysts with different graphite contents

圖2



圖2球磨時(shí)間不同的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的XRD譜

Fig.2XRD pattern of 5% graphite/TiO2 composite photocatalyst with different ball milling time

2.2 掃描電子顯微鏡(SEM)分析

圖3給出了球磨時(shí)間不同的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的SEM照片 圖4給出了球磨12 h石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的SEM照片，從圖3和圖4可見，所制備的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑沒有出現(xiàn)團(tuán)聚，顆粒形狀不規(guī)則，小球狀居多，尺寸小于200 nm 隨著球磨時(shí)間和石墨摻入量的變化石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的顆粒尺寸變化很小，表面形貌也沒有明顯的不同

圖3



圖3球磨時(shí)間不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑SEM照片

Fig.3SEM image of graphite/TiO2 composite photocatalyst with different ball milling time

圖4



圖4石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑SEM照片

Fig.4SEM image of graphite/TiO2 composite photocatalysts with different graphite contents

圖5給出了球磨24 h，5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑樣品的EDS分析和元素分布 圖5中的取點(diǎn)處主要由C、O和Ti三種元素組成，其表面有9.46%的石墨、60.82%的鈦和29.72%的氧元素 從元素面掃照片可見，在C元素與Ti、O元素間有明顯的邊界，但是在Ti、O元素分布的區(qū)域內(nèi)也有C元素，表明石墨較好地包覆在TiO2顆粒表面

圖5



圖55%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的EDS分析與元素分布

Fig.5EDS analysis and element distribution of 5% graphite/TiO2 composite photocatalyst

2.3 透射電鏡(TEM)分析

為了確定石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的形貌和結(jié)構(gòu)，分別進(jìn)行了TEM分析和HRTEM分析，如圖6所示 圖6a、b和c分別給出了球磨24 h、石墨摻入量為5%的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的TEM照片 可以看出，石墨/TiO2復(fù)合復(fù)合光催化劑中的TiO2顆粒形狀不規(guī)則，小球狀較多，沒有團(tuán)聚、尺寸大多小于200 nm，與SEM分析的結(jié)果一致 由圖6c可見明顯的晶格條紋，條紋間距為0.35 nm，是銳鈦型TiO2的(101)衍射峰，明顯的晶格條紋的部分表面和晶粒邊緣具有缺陷，與XRD給出的結(jié)果一致

圖6



圖65%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的TEM照片和HRTEM譜

Fig.6TEM and HRTEM spectra of 5% grphite/TiO2 composite photocatalyst

2.4 X光電子能譜(XPS)分析

圖7a給出了球磨12 h，5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的全掃描圖 由圖7a可知，該樣品的主要組成元素是Ti、C和O 圖7b給出了Ti 2p的窄掃描光譜，5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑在結(jié)合能459.5 eV和465.2 eV處分別對(duì)應(yīng)為Ti 2p3/2和Ti 2p1/2的特征峰，與純的TiO2在458.5 eV和464.2 eV的結(jié)合能相比向高能帶偏移了1.0 eV，可能與球磨使TiO2表面出現(xiàn)氧空位缺陷有關(guān)[21]；在圖7c的O 1s窄掃描光譜中，特征峰的結(jié)合能為530.75 eV，與純的TiO2的529.7 eV相比向高能帶偏移了1.05 eV，主要是Ti-O鍵中的O的貢獻(xiàn)，且可能伴有Ti-OH鍵的形成[22]，從而有利于催化氧化反應(yīng)的進(jìn)行；圖7d給出了C 1s的窄掃描光譜，可見特征峰結(jié)合能為284.8 eV和285.7 eV對(duì)應(yīng)的是石墨中的C sp2和C-O鍵，C-O鍵的生成說明石墨與鈦氧化物發(fā)生了復(fù)合[23]

圖7



圖75%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的XPS譜

Fig.7XPS spectra of 5% grphite/TiO2 composite photocatalyst

2.5 紫外可見漫反射(DRS)分析

圖8給出了石墨/TiO2復(fù)合光催化劑樣品的UV-Vis吸收光譜，圖8a給出了球磨12 h，不同石墨摻入量的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的UV-Vis吸收光譜，圖8b給出了不同球磨時(shí)間的5%石墨/TiO2光催化劑樣品的UV-Vis吸收光譜 銳鈦礦TiO2的禁帶寬度為3.2 eV，其對(duì)應(yīng)的吸收邊為387.5 nm 從圖8a可見，與純的TiO2相比，石墨/TiO2復(fù)合光催化劑在200 nm到400 nm處對(duì)紫外光的吸收降低，而對(duì)400 nm到800 nm可見光的吸收則增強(qiáng) 從圖8b還可見，隨著球磨時(shí)間的延長(zhǎng)對(duì)可見光的吸收增強(qiáng)，吸收帶邊也向可見光移動(dòng)

圖8



圖8石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的UV-Vis吸收光譜

Fig.8UV-Vis absorption spectrum of graphite/TiO2 composite photocatalyst

2.6 光催化活性2.6.1 石墨摻入量對(duì)光催化活性的影響

圖9給出了球磨12 h、石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附和光催化降解曲線 由圖9可見，石墨摻入量不同的光催化劑對(duì)甲基橙的吸附能力不同 隨著石墨摻入量的增加，復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附能力呈增強(qiáng)的趨勢(shì) 這表明，石墨的增加使吸附甲基橙的效果越來(lái)越好 1%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的吸附去除率僅為3.93%，而10%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的吸附去除率達(dá)到12.10% 5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑和10%石墨/TiO2光催化劑都表現(xiàn)出良好的催化效果，降解反應(yīng)70 min后甲基橙幾乎全部被催化反應(yīng)，降解率分別達(dá)到95.08%和91.87%，且所有復(fù)合光催化劑均優(yōu)于純的TiO2 這表明，石墨的摻入有效提高了TiO2的光催化活性

圖9



圖9石墨摻入量不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附/光催化降解性能

Fig.9Adsorption and photocatalytic degradation of methyl orange by graphite/TiO2 composite photocatalysts with different graphite doping contents

為了進(jìn)一步分析石墨摻入量對(duì)石墨/TiO2復(fù)合光催化劑催化活性的影響，應(yīng)用準(zhǔn)一級(jí)反應(yīng)(a pseudo-first-order reaction)研究了動(dòng)力學(xué)過程 其反應(yīng)動(dòng)力學(xué)方程為

-lnCtC0=kt

(2)

式(2)中k為一階動(dòng)力學(xué)常數(shù)，指光催化反應(yīng)的速率常數(shù)，C0為光催化反應(yīng)開始時(shí)甲基橙溶液的濃度；Ct為光催化反應(yīng)時(shí)間為t時(shí)的甲基橙溶液的濃度 根據(jù)此公式計(jì)算出純TiO2的k值為0.01628，1%、2.5%、5%和10%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的k值分別為0.01733、0.01956、0.04304和0.03585 這表明，石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的降解反應(yīng)速率隨著量的增加而增大 摻入石墨對(duì)TiO2表面有修飾作用，在光催化反應(yīng)時(shí)有助于電子空穴的分離，進(jìn)而提高TiO2的光催化性能 但是5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑比10%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑具有更高的降解速率，說明雖然石墨有助于電子空穴的分離，但是摻入過多的石墨使光生電子空穴的分離能力減弱，TiO2的光催化性能降低 石墨的最佳摻入量為5%

2.6.2 球磨時(shí)間對(duì)光催化活性的影響

圖10給出了石墨摻入量為5%、球磨時(shí)間不同的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附和光催化降解曲線 圖10中的吸附脫附平衡曲線表明，由于石墨摻入量都為5%，石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附能力基本相當(dāng)，吸附去除率分別為9.79%、10.01%、8.79%和10.14%，都優(yōu)于純TiO2 圖10中的光催化降解曲線表明，球磨4 h的降解率僅為67.73%，與純TiO2的降解率68.00%相當(dāng) 因?yàn)榍蚰r(shí)間較短，石墨與TiO2沒有較好的復(fù)合，石墨在TiO2顆粒表面沒有充分均勻地分布，石墨與TiO2顆粒結(jié)合不緊密，不能快速分離電子-空穴，不能提高其光催化活性；球磨時(shí)間為8 h、12 h和24 h的5%石墨/TiO2光催化劑都表現(xiàn)出良好的催化效果，甲基橙的降解率分別達(dá)到83.84%、95.08%和95.39% 這表明，隨著球磨時(shí)間的延長(zhǎng)石墨在TiO2顆粒表面分布更均勻，進(jìn)而提高其光催化活性 但是，球磨12 h和24 h的樣品其降解率接近 因此，較理想的球磨時(shí)間為12 h

圖10



圖10不同球磨時(shí)間的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的吸附/光催化降解性能

Fig.10Adsorption and photocatalytic degradation of methyl orange by graphite/TiO2 composite photocatalysts with different ball milling time

為了進(jìn)一步探討不同球磨時(shí)間對(duì)5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑催化活性的影響，使用式(2)計(jì)算出球磨時(shí)間為4 h、8 h、12 h和24 h的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的光催化反應(yīng)速率常數(shù)k值分別為0.01616、0.02604、0.04304和0.04395，即隨著球磨時(shí)間的增加5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑對(duì)甲基橙的降解反應(yīng)速率常數(shù)逐漸增大 這表明，球磨時(shí)間越長(zhǎng)越有利于TiO2顆粒表面缺陷的產(chǎn)生、顆粒尺寸的變小和石墨在TiO2顆粒表面分布更加均勻，進(jìn)而形成雜質(zhì)能級(jí)，使禁帶寬度降低，光譜響應(yīng)范圍拓寬，光生電子空穴對(duì)的能力得到提高，光催化性能得到提高 球磨12 h的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑樣品(k=0.043035 min-1)和球磨24 h的5%石墨/TiO2復(fù)合光催化劑樣品(k=0.043949 min-1)的降解速率相差較小，說明雖然球磨時(shí)間的增加有助于形成更多的表面缺陷，但是過多的表面缺陷也容易形成電子空穴的復(fù)合中心，使光催化劑的光量子效率降低，導(dǎo)致光催化活性降低 適宜的球磨時(shí)間為12 h

2.7 光催化反應(yīng)機(jī)理

石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的反應(yīng)機(jī)理，如圖11所示 紫外可見光照射到TiO2粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，它們分離并遷移到TiO2和石墨分子層的界面，光生空穴吸附在TiO2表面的OH-和水分子氧化成氫氧自由基(·OH)；光生電子從TiO2界面遷移到石墨分子層并被表面吸附的氧氣分子捕獲而生成超氧自由基(·O2-)，然后將有機(jī)污染物氧化分解成H2O、CO2和無(wú)機(jī)小分子[10] 由此可見，在光催化反應(yīng)過程中石墨分子層對(duì)儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)移來(lái)自TiO2的光生電子起了重要作用，提高了光生電子空穴的遷移和分離效率，抑制了光生電子空穴的復(fù)合 由于從石墨分子層到氧的電子轉(zhuǎn)移非常迅速，從TiO2到石墨分子層的電子轉(zhuǎn)移能連續(xù)地進(jìn)行 光生電子-空穴的分離是光催化反應(yīng)的關(guān)鍵，Graphite/TiO2體系更高的電子-空穴分離效率使光催化反應(yīng)速率提高

圖11



圖11石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的光催化反應(yīng)機(jī)理

Fig.11Schematic for photocatalytic performance of graphite/ TiO2 composite photocatalyst

3 結(jié)論

與純TiO2相比，采用球磨工藝制備的石墨/TiO2復(fù)合光催化劑在400~600 nm有明顯的光吸收，吸收帶邊發(fā)生紅移 石墨的摻入使石墨/TiO2復(fù)合光催化劑的光生電子空穴的分離速率和光催化活性提高 石墨摻入量為5%的復(fù)合光催化劑光催化性能最優(yōu)，對(duì)甲基橙的光催化降解反應(yīng)速率常數(shù)k達(dá)到0.043035 min-1，是純TiO2的2.64倍；隨著球磨時(shí)間的增加石墨在TiO2顆粒表面分布更均勻 TiO2顆粒表面缺陷越多，其(101)晶面的衍射峰寬化和右移越明顯 球磨時(shí)間為24 h的樣品，對(duì)甲基橙的光催化降解反應(yīng)速率常數(shù)k為0.043949 min-1

參考文獻(xiàn)

View Option 原文順序文獻(xiàn)年度倒序文中引用次數(shù)倒序被引期刊影響因子

[1]

Fujishima A, Honda K.

Electrochemical photolysis of water at a semiconductor electrode

[J]. Nature, 1972, 238(5358): 37

[本文引用: 1]

[2]

Ochiai Tsuyoshi, Fujishima Akira.

Photoelectrochemical properties of TiO2 photocatalyst and its applications for environmental purification

[J]. Journal of Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews, 2012, 13(4): 247

[本文引用: 1]

[3]

Nakata Kazuya, Fujishima Akira.

TiO2 photocatalysis: Designand applications

[J]. Journal of Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews, 2012, 13(3): 169

[4]

Liao W J, Yang J W, Zhou H, et al.

Electrochemically self-doped TiO2 nanotube arrays for efficient visible light photoelectrocatalytic degradatiaon of contaminants

[J]. Electrochimica Acta, 2014, 136(8): 310

[本文引用: 1]

[5]

Kelly P J, West G T, Ratova M, et al.

Structural formation and photocatalytic activity of magnetron sputtered titania and doped-titania coatings

[J]. Molecules, 2014, 19(10): 16327

[本文引用: 1]

[6]

Zhang L L, Gao H J, Liao Y W.

Enhancement of photocatalytic activity of TiO2 with cross-linked poly (amphoteric ionic liquid)

[J].Chinese Journal of Materials Research, 2016, 30(4): 307

[本文引用: 1]

張孌孌, 高和軍, 廖運(yùn)文.

交聯(lián)聚兩性離子液基材料增強(qiáng)TiO2光催化性能的研究

[J]. 材料研究學(xué)報(bào), 2016, 30(4): 307

[本文引用: 1]

[7]

Wang S L, Huo W Y, Xu Z C, et al.

Fabrication of films of Co doped TiO2 nanotube array and their photocatalytic reduction performance

[J]. Chinese Journal of Materials Research,2020,34(3): 176

[本文引用: 1]

王世琦, 霍文燚, 徐正超等.

鈷摻雜TiO2納米管陣列薄膜的制備及其光催化還原性能

[J]. 材料研究學(xué)報(bào), 2020, 34(3): 176

[本文引用: 1]

[8]

Sabzi M,Mousavi Anijdan S H.

Microstructural analysis and optical properties evaluation of Sol-Gel heterostructured NiO-TiO2 film used for solar panels

[J]. Ceramics International, 2019, 45(3): 3250

[本文引用: 1]

[9]

Manibalan G, Murugadoss G, Thangamthu R, et al.

Facile synthesis of heterostucture CeO-TiO2 nanocomposites for enhanced electrochemical sensor and solar cell applications

[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2019, 773: 449

[10]

Synthesis and photocatalytic performance of heterostructured nano-composite Bi4

Ti3O12/TiO2

[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2014, 28(7): 503

[本文引用: 2]

陳侃松, 黎旸, 田寒等.

Bi4Ti3O12/TiO2異質(zhì)結(jié)的制備及其光催化性能

[J]. 材料研究學(xué)報(bào), 2014, 28(07): 503

[本文引用: 2]

[11]

Hao D,Jiang C H,Yang Z M,et al.

The preparation of N-doped TiO2 and its photocatalytic property

[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2013, (3): 247

[本文引用: 1]

郝棟, 姜春海, 楊振明等.

N摻雜TiO2的制備和光催化性能

[J]. 材料研究學(xué)報(bào), 2013, (3): 247

[本文引用: 1]

[12]

Reddy K M, Baruwati B, Jayalakshmi M, et al.

S-, N- and C-doped titanium dioxide nanoparticles: Synthesis, characterization and redox charge transfer study

[J]. Journal of Solid State Chemistry, 2005, 178(11): 3352

[13]

Huang Y, Yang M, Xia J J, et al.

Preparation of C/TiO2 composites and study of its photocatalytic property

[J]. Journal of Wuhan Polyechnic University, 2014, 33(2): 33

黃昱, 楊明, 夏娟娟等.

C/TiO2復(fù)合材料的制備及光催化性能的研究

[J]. 武漢輕工大學(xué)學(xué)報(bào), 2014, 33(2): 33

[14]

Zhou H L, Ge F Z, Zou Z, et al.

Progress in C-TiO2 nanocomposite photocatalyst

[J]. Materials Reports, 2011, 25(S2): 166

[本文引用: 1]

周化嵐, 葛芳州, 鄒忠等.

C-TiO2復(fù)合光催化劑研究進(jìn)展

[J]. 材料導(dǎo)報(bào), 2011, 25(S2):166

[本文引用: 1]

[15]

Jong G D, Vittal R, Park N G, et al.

Enhancement of photocurrent and photovoltage of dye-sensitized solar cells with TiO2 film deposited on indium zinc oxide substrate

[J]. Chemistry of Materials, 2004, 16(3): 493

[本文引用: 1]

[16]

Yang J, Xu M, Wang J Y, et al.

A facile approach to prepare multiple heteroatom-doped carbon materials from imine-linked porous organic polymers

[J]. Scientific Reports, 2018, 8(1): 4200

[本文引用: 1]

[17]

Molood B, Mohammad B, Reza O M.

Photo oxidation DBT using carbon nanotube titania composite as visible light active photo catalyst

[J]. Journal of Central South Univ.

Technology, (2018) 25: 1642

[本文引用: 1]

[18]

Zhu X Y, Wang C, Wang J J, et al.

Preparation and study of carbon－coated TiO2 photocatalyst

[J]. Guangzhou Chemical Industry, 2019, 47(16): 18

[本文引用: 1]

朱雪漪, 王成, 王俊杰等.

碳包覆二氧化鈦光催化劑的制備及研究

[J]. 廣州化工, 2019, 47(16): 18

[本文引用: 1]

[19]

Wang C L, Li F, Yang K, et al.

Materials research progress on carbon quantum dots-titanium dioxide composite photocatalysts

[J]. Materials Review A, 2018, 32(10):3348

[本文引用: 1]

王春來(lái), 李釩, 楊焜等.

碳量子點(diǎn)-二氧化鈦復(fù)合光催化劑的研究進(jìn)展

[J]. 材料導(dǎo)報(bào), 2018, 32(10): 3348

[本文引用: 1]

[20]

Ke J, Li X, Zhao Q, et al.

Upconversion carbon quantum dots as visible light responsive component for efficient enhancement of photocatalytic performance

[J]. Journal of Colloid and Interface Science, 2017, 496: 425

[本文引用: 1]

[21]

Hao Dong, Jiang C M, Yang Z M, et al.

The preparation of N-doped TiO2 and its photocatalytic property

[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2013, 27(3): 247

[本文引用: 1]

郝棟, 姜春梅, 楊振明等.

N摻雜TiO2的制備和光催化性能

[J]. 材料研究學(xué)報(bào), 20013, 27(3): 247

[本文引用: 1]

[22]

Li L, Chen Y, Jiao S, et al.

Synthesis, microstructure, and properties of black anatase and B phase TiO2 nanoparticles

[J]. Materials & Design, 2016, 100: 235

[本文引用: 1]

[23]

Li D, Jia J, Zhang Y, et al.

Preparation and characterization of Nano-graphite/TiO2 composite photoelectrode for photoelectrocatalytic degradation of hazardous pollutant

[J]. Journal of Hazardous Materials, 2016, 315: 1

[本文引用: 1]

Electrochemical photolysis of water at a semiconductor electrode

1

1972