權(quán)利要求

1.一種氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，包括：

將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶;

將所述第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶;

在進(jìn)行引晶時(shí)，將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，之后依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述楔形的下端面的面積與上端面的面積的比值范圍為30%到80%;楔形的兩個(gè)斜面與上端面夾角的范圍為20°到60°。

3.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，包括：

將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，并回熔第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。

4.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶，包括：

將所述第一氧化鎵籽晶平放于藍(lán)寶石片的上方，將所述藍(lán)寶石片和所述第一氧化鎵籽晶整體放入退火爐中進(jìn)行退火;

將退火完成的第一氧化鎵籽晶放置于酸性溶液或者堿性溶液中進(jìn)行表面腐蝕，得到所述第二氧化鎵籽晶。

5.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述退火爐中的退火氣氛為氬氣、氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w，退火溫度為1200℃到1600℃，退火時(shí)間為0.5h到5h。

6.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述酸性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。

7.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述堿性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。

8.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶每個(gè)面的表面粗糙度小于等于1nm。

9.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶，包括：

在提拉工序時(shí)，保持恒溫條件，使生長(zhǎng)的氧化鎵不縮不擴(kuò)達(dá)到第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度后停止提拉工序;

之后依次進(jìn)行放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到所述氧化鎵單晶。

10.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶，包括：

通過激光切割機(jī)將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶。

說明書

技術(shù)領(lǐng)域

[0001]本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及氧化鎵單晶制備方法。

背景技術(shù)

[0002]隨著氧化鎵單晶尺寸的增大，氧化鎵籽晶尺寸也隨之增大，這就導(dǎo)致氧化鎵籽晶遺傳對(duì)晶體質(zhì)量和缺陷濃度的影響更加凸顯，要想得到高質(zhì)量低缺陷的氧化鎵單晶，首先要獲得高質(zhì)量的氧化鎵籽晶。此外，隨著氧化鎵單晶尺寸增大，氧化鎵原料的揮發(fā)問題越來越嚴(yán)重，生長(zhǎng)4英寸氧化鎵的揮發(fā)速率是生長(zhǎng)2英寸氧化鎵的10倍以上，該揮發(fā)速率會(huì)隨著溫度的升高繼續(xù)增大，這就意味著在縮頸工藝中，揮發(fā)物附著問題會(huì)越來越嚴(yán)重，這些揮發(fā)物不僅影響觀察，而且極有可能成為多晶成核點(diǎn)，大幅降低單晶率。

說明書附圖(3)

圖片

發(fā)明內(nèi)容

[0003]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了氧化鎵單晶制備方法，以提高氧化鎵結(jié)晶的質(zhì)量、降低缺陷濃度，減少多晶的風(fēng)險(xiǎn)。

[0004]本申請(qǐng)是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種氧化鎵單晶制備方法，包括：

將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶;

將第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶;

在進(jìn)行引晶時(shí)，將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，之后依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。

[0005]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，楔形的下端面的面積與上端面的面積的比值范圍為30%到80%;楔形的兩個(gè)斜面與上端面夾角的范圍為20°到60°。

[0006]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，包括：

將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，并回熔第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。

[0007]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，將第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶，包括：

將第一氧化鎵籽晶平放于藍(lán)寶石片的上方，將藍(lán)寶石片和第一氧化鎵籽晶整體放入退火爐中進(jìn)行退火;

將退火完成的第一氧化鎵籽晶放置于酸性溶液或者堿性溶液中進(jìn)行表面腐蝕，得到第二氧化鎵籽晶。

[0008]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，退火爐中的退火氣氛為氬氣、氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w，退火溫度為1200℃到1600℃，退火時(shí)間為0.5h到5h。

[0009]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，酸性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。

[0010]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，堿性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。

[0011]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶每個(gè)面的表面粗糙度小于等于1nm。

[0012]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶，包括：

在提拉工序時(shí)，保持恒溫條件，使生長(zhǎng)的氧化鎵不縮不擴(kuò)達(dá)到第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度后停止提拉工序;

之后依次進(jìn)行放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。

[0013]結(jié)合第一方面，在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶，包括：

通過激光切割機(jī)將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶。

[0014]本申請(qǐng)實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果是：

本申請(qǐng)通過將籽晶的底部加工為楔形的方式，替代了縮頸工藝減少缺陷遺傳的同時(shí)，提高了單晶率，由于不需要使用縮頸工藝，本方案的適用性也更廣，對(duì)于導(dǎo)模法、直拉法、布里奇曼等多種生長(zhǎng)方法都可以適用;采用本方法制備的籽晶進(jìn)行氧化鎵單晶生長(zhǎng)，可以將生長(zhǎng)得到的氧化鎵單晶的缺陷密度降低1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。

[0015]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本說明書。

附圖說明

[0016]為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

[0017]圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的氧化鎵單晶制備方法的流程示意圖;

圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶示意圖;

圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的第一氧化鎵籽晶示意圖。

具體實(shí)施方式

[0018]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透徹理解本申請(qǐng)實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)。在其它情況中，省略對(duì)眾所周知的系統(tǒng)、裝置、電路以及方法的詳細(xì)說明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本申請(qǐng)的描述。

[0019]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)在本申請(qǐng)說明書和所附權(quán)利要求書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”指示所描述特征、整體、步驟、操作、元素和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元素、組件和/或其集合的存在或添加。

[0020]還應(yīng)當(dāng)理解，在本申請(qǐng)說明書和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語“和/或”是指相關(guān)聯(lián)列出的項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任何組合以及所有可能組合，并且包括這些組合。

[0021]如在本申請(qǐng)說明書和所附權(quán)利要求書中所使用的那樣，術(shù)語“如果”可以依據(jù)上下文被解釋為“當(dāng)...時(shí)”或“一旦”或“響應(yīng)于確定”或“響應(yīng)于檢測(cè)到”。類似地，短語“如果確定”或“如果檢測(cè)到[所描述條件或事件]”可以依據(jù)上下文被解釋為意指“一旦確定”或“響應(yīng)于確定”或“一旦檢測(cè)到[所描述條件或事件]”或“響應(yīng)于檢測(cè)到[所描述條件或事件]”。

[0022]另外，在本申請(qǐng)說明書和所附權(quán)利要求書的描述中，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

[0023]在本申請(qǐng)說明書中描述的參考“一個(gè)實(shí)施例”或“一些實(shí)施例”等意味著在本申請(qǐng)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中包括結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)。由此，在本說明書中的不同之處出現(xiàn)的語句“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在一些實(shí)施例中”、“在其他一些實(shí)施例中”、“在另外一些實(shí)施例中”等不是必然都參考相同的實(shí)施例，而是意味著“一個(gè)或多個(gè)但不是所有的實(shí)施例”，除非是以其他方式另外特別強(qiáng)調(diào)。術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”及它們的變形都意味著“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特別強(qiáng)調(diào)。

[0024]氧化鎵單晶是一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)8MV/cm，巴利加優(yōu)值是SiC、GaN的是十倍以上，并且氧化鎵材料耐高溫，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在高壓大功率電力電子器件領(lǐng)域極具應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檠趸壔β势骷粌H可以耐高壓而且可以擁有更高的功率轉(zhuǎn)換效率和更低的導(dǎo)通損耗。此外，氧化鎵單晶可以采用熔體法進(jìn)行生長(zhǎng)，包括導(dǎo)模法、直拉法、布里奇曼等，具有生長(zhǎng)速率快、成本低的優(yōu)勢(shì)，適合工程化。因此，氧化鎵單晶已經(jīng)成為引領(lǐng)電子信息工程更新?lián)Q代的熱點(diǎn)材料。

[0025]氧化鎵單晶的主要應(yīng)用方向是高壓大功率電力電子器件，這就對(duì)結(jié)晶質(zhì)量和缺陷密度提出了高要求，氧化鎵單晶的結(jié)晶質(zhì)量和缺陷密度主要受到兩方面的影響，一是籽晶遺傳，二是生長(zhǎng)工藝和熱應(yīng)力。目前籽晶遺傳問題主要通過縮頸工藝來解決，縮頸主要是通過升高溫度和提高拉速來實(shí)現(xiàn)，但是氧化鎵原料在高溫下存在比較嚴(yán)重的揮發(fā)分解，這就會(huì)導(dǎo)致籽晶表面粘附揮發(fā)物，非常容易在后續(xù)生長(zhǎng)過程中導(dǎo)致多晶，所以說縮頸工藝雖然可以提高結(jié)晶質(zhì)量、降低缺陷濃度，但是也增加了多晶的風(fēng)險(xiǎn)。

[0026]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種氧化鎵單晶制備方法，圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的氧化鎵單晶制備方法的流程示意性圖，參照?qǐng)D1，對(duì)該方法的詳述如下：

步驟101，將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶。

[0027]示例性的，如圖2所示，長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶每個(gè)面的表面粗糙度小于等于1nm。

[0028]在一些具體實(shí)施例中，可以在將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體后，通過化學(xué)機(jī)械拋光使長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶每個(gè)面的表面粗糙度小于等于1nm，利用化學(xué)機(jī)械拋光可以去除切割損傷，提高籽晶的表面質(zhì)量。

[0029]示例性的，如圖3所示，楔形的下端面的面積與上端面的面積的比值范圍為30%到80%;楔形的兩個(gè)斜面與上端面夾角的范圍為20°到60°。

[0030]在一些具體實(shí)施例中，將籽晶的底部加工為楔形是為了：(1)通過控制下端面面積，保持籽晶的機(jī)械強(qiáng)度，保證提拉過程中不會(huì)折斷。(2)減小引晶時(shí)籽晶與熔體的接觸面積，減小熱沖擊。(3)楔形可以使籽晶中的位錯(cuò)等缺陷終止在斜面上，從而減少籽晶中缺陷遺傳。(4)通過楔形斜面角度控制，配合引晶時(shí)等徑生長(zhǎng)工藝，使籽晶中位錯(cuò)等缺陷進(jìn)一步排出，終止在表面。

[0031]示例性的，將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶，包括：

通過激光切割機(jī)將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶。

[0032]步驟102，將第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶。

[0033]示例性的，步驟102可以包括：

將第一氧化鎵籽晶平放于藍(lán)寶石片的上方，將藍(lán)寶石片和第一氧化鎵籽晶整體放入退火爐中進(jìn)行退火;

將退火完成的第一氧化鎵籽晶放置于酸性溶液或者堿性溶液中進(jìn)行表面腐蝕，得到第二氧化鎵籽晶。

[0034]示例性的，退火爐中的退火氣氛為氬氣、氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w，退火溫度為1200℃到1600℃，退火時(shí)間為0.5h到5h。

[0035]具體的，籽晶退火一是為了使氧化鎵籽晶表面分解，去除加工損傷層，氧化鎵分解溫度為1200℃，二是去除加工應(yīng)力，消除晶格畸變，提高籽晶質(zhì)量。

[0036]示例性的，酸性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。

[0037]示例性的，堿性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。

[0038]具體的，籽晶表面處理主要是因?yàn)檠趸壸丫г诩庸ぶ髸?huì)存在表面或亞表面損傷，這些損傷在生長(zhǎng)過程中也會(huì)導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生，通過籽晶與酸或者堿反應(yīng)，將以上損傷去除，從而提高籽晶質(zhì)量。籽晶表面處理不僅可以去除損傷，還可以進(jìn)行籽晶篩選，腐蝕之后可以通過微分干涉顯微鏡觀察籽晶上下端面中位錯(cuò)等缺陷濃度，不需要進(jìn)行晶體生長(zhǎng)就可以直觀檢測(cè)到缺陷數(shù)量的變化。

[0039]步驟103，在進(jìn)行引晶時(shí)，將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，之后依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。

[0040]示例性的，將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，可以包括：

將第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，并回熔第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。

[0041]示例性的，依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶，包括：

在提拉工序時(shí)，保持恒溫條件，使生長(zhǎng)的氧化鎵不縮不擴(kuò)達(dá)到第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度后停止提拉工序;

之后依次進(jìn)行放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。

[0042]上述氧化鎵單晶制備方法，通過將籽晶的底部加工為楔形的方式，替代了縮頸工藝減少缺陷遺傳的同時(shí)，提高了單晶率，由于不需要使用縮頸工藝，本方案的適用性也更廣，對(duì)于導(dǎo)模法、直拉法、布里奇曼等多種生長(zhǎng)方法都可以適用;采用本方法制備的籽晶進(jìn)行氧化鎵單晶生長(zhǎng)，可以將生長(zhǎng)得到的氧化鎵單晶的缺陷密度降低1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。

[0043]為了便于方案的理解，下面示出兩個(gè)具體實(shí)施例。

[0044]具體實(shí)施例一：

步驟一，籽晶加工。首先通過切割得到長(zhǎng)方體籽晶，長(zhǎng)度40mm，寬度5mm，厚度5mm，然后通過化學(xué)機(jī)械拋光將6個(gè)面的表面粗糙度降低至0.5nm。然后再通過切割將籽晶底部加工成楔形，下端面面積與上端面面積比值為50%，兩個(gè)斜面的角度為40°，此時(shí)楔形的高度為1.56mm。

[0045]步驟二，籽晶退火。將加工完的籽晶平在平整的藍(lán)寶石片上，然后整體放入退火爐，退火氣氛為氬氣，退火溫度為1300℃，退火時(shí)間為2h。

[0046]步驟三，籽晶表面處理。將退火完的籽晶放置在質(zhì)量濃度為40%的磷酸溶液中進(jìn)行表面腐蝕，溫度為110℃，時(shí)間為30min。

[0047]步驟四，腐蝕后觀察上下端面位錯(cuò)數(shù)量(腐蝕坑的數(shù)量)分為2.2×104個(gè)和9.7×103個(gè)，數(shù)量顯著降低。

[0048]步驟五，采用上述處理的籽晶進(jìn)行氧化鎵單晶生長(zhǎng)，在引晶時(shí)，將籽晶緩慢下降至于熔體接觸，回熔0.5mm，然后開始提拉，恒溫，保持籽晶不縮不擴(kuò)30mm，使籽晶中的缺陷進(jìn)一步排出。這一操作與縮頸相比，最大的區(qū)別是不需要使固液界面過熱，因此不會(huì)由于固液界面過熱導(dǎo)致氧化鎵原料揮發(fā)分解變嚴(yán)重，揮發(fā)物不會(huì)聚積在籽晶底部，可以提高單晶率，同時(shí)達(dá)到了降低缺陷密度的目的。

[0049]步驟六，經(jīng)過放肩、等徑、收尾、降溫等工序，生長(zhǎng)出來的氧化鎵晶體位錯(cuò)密度為2×103cm-2，傳統(tǒng)方式生長(zhǎng)的晶體位錯(cuò)密度一般為5×104cm-2。

[0050]具體實(shí)施例二：

步驟一，籽晶加工，首先通過切割得到長(zhǎng)方體籽晶，長(zhǎng)度70mm，寬度10mm，厚度10mm，然后通過化學(xué)機(jī)械拋光將6個(gè)面的表面粗糙度降低至0.5nm。然后再通過切割將籽晶底部加工成楔形，下端面面積與上端面面積比值為40%，兩個(gè)斜面的角度為30°，此時(shí)楔形的高度為6.5mm。

[0051]步驟二，籽晶退火，將加工完的籽晶放置在平整的藍(lán)寶石片上，然后整體放入退火爐，退火氣氛為氮?dú)?，退火溫度?500℃，退火時(shí)間為1h。

[0052]步驟三，籽晶表面處理，將退火完的籽晶放置在質(zhì)量濃度為30%的氫氧化鉀堿溶液中進(jìn)行表面腐蝕，溫度為90℃，時(shí)間為90min。

[0053]步驟四，腐蝕后觀察上下端面位錯(cuò)數(shù)量分為8.1×104個(gè)和4.2×103個(gè)，數(shù)量顯著降低。

[0054]步驟五，采用上述處理的籽晶進(jìn)行氧化鎵單晶生長(zhǎng)，在引晶時(shí)，將籽晶緩慢下降至于熔體接觸，回熔1.5mm，然后開始提拉，恒溫，保持籽晶不縮不擴(kuò)50mm。

[0055]步驟六，經(jīng)過放肩、等徑、收尾、降溫等工序，生長(zhǎng)出來的氧化鎵晶體位錯(cuò)密度為4×103cm-2，傳統(tǒng)方式生長(zhǎng)的晶體位錯(cuò)密度一般為5×104cm-2。

[0056]應(yīng)理解，上述實(shí)施例中各步驟的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。

[0057]以上所述實(shí)施例僅用以說明本申請(qǐng)的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本申請(qǐng)各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

說明書附圖(3)