本申請涉及顯示器件工藝技術領域,具體涉及一種空穴功能層的制備方法和量子點發(fā)光二極管的制備方法。該空穴功能層的制備方法包括如下步驟:沉積空穴
功能材料溶液;在≤120℃的條件下進行退火處理,得到空穴功能層,其中,所述空穴功能材料溶液中的溶劑包括第一溶劑和第二溶劑,所述第二溶劑的沸點低于所述第一溶劑的沸點。用于成膜的空穴功能材料溶液選用包括第一溶劑和第二溶劑的混合溶劑,因其中的第二溶劑的沸點低于第一溶劑的沸點,使得該空穴功能材料溶液的成膜退火溫度顯著降低,可以在≤120℃的條件下進行退火,遠低于目前的退火溫度,這樣可以減少空穴功能層的熱損害,從而提高空穴功能層的性能。
聲明:
“空穴功能層的制備方法和量子點發(fā)光二極管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)