本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1:提供基底,在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的
功能材料層,以形成臺(tái)階形結(jié)構(gòu),在所述基底上和所述功能材料層的側(cè)壁上形成有頂角變圓的緩沖層;步驟S2:在所述緩沖層和所述功能材料層上形成覆蓋層,以覆蓋所述功能材料層;步驟S3:在所述覆蓋層上交替地形成第一金屬層和第二金屬層,以形成至少包含4層的金屬疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述方法具有如下的優(yōu)點(diǎn):1)通過添加氧化物OX獲得圓化頂角(corner?rounding)效果的同時(shí)減小上層金屬膜的應(yīng)力,解決了縫隙孔洞(seam?void)的問題;2)由于對(duì)應(yīng)力有所改變,也降低了后續(xù)可能造成的分層問題;3)對(duì)于后續(xù)制程沒有帶來其他的副作用。
聲明:
“MEMS器件及其制備方法、電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)